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ディスプロシウム及びセリウムの電荷移行断面積

Charge transfer cross sections for dysprosium and cerium

足立 肇; 田村 浩司; 岡崎 哲治; 柴田 猛順

Adachi, Hajime; Tamura, Koji; not registered; Shibata, Takemasa

ディスプロシウム(Dy)及びセシウム(Ce)について、基底状態のイオンが中性原子と衝突する場合の対称電荷移行断面積を衝突エネルギーが200eV~2keVの範囲で測定した。光共鳴電離法によるレーザーイオン源からのイオンビームを原子ビームに直交して照射し、電荷移行生成イオンと主ビームイオンの電流をそれぞれファラデーカップ検出器で測定して、それらの電荷量の比及び原子密度から電荷移行断面積を導出した。その結果、両者とも上記エネルギー範囲では断面積はほぼ一定で、Dyでは(1.82$$pm$$0.14)$$times$$10$$^{-14}$$cm$$^{2}$$、Ceでは(0.88$$pm$$0.12)$$times$$10$$^{-14}$$cm$$^{2}$$の値が得られた。これらの断面積の大きさの違いは、それらの原子及びイオンの電子配位を考慮して説明できる。

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