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Optimization of the silicon oxide layer thicknesses inserted in the Mo/Si multilayer interfaces for high heat stability and high reflectivity

高い耐熱性と高い反射率両立のための、Mi/Si多層膜界面に挿入したシリコン酸化物層厚の最適化

石野 雅彦; 依田 修

Ishino, Masahiko; Yoda, Osamu

Mo/Si多層膜界面にSiO$$_{2}$$層を挿入することにより、Mo/Si多層膜の耐熱性は大きく向上するが、Mo/Si多層膜が高い反射率を示す波長13nm近傍の軟X線領域では、酸素によるX線の吸収が大きいため、SiO$$_{2}$$層を挿入したMo/Si多層膜の軟X線反射率は減少する。そこで、高い耐熱性をもつMo/SiO$$_{2}$$/Si/SiO$$_{2}$$多層膜に対して、軟X線反射率の向上を目的にSiO$$_{2}$$層厚の最適化を行った。600$$^{circ}C$$までの熱処理に対する構造評価と、軟X線反射率測定の結果、Si-on-Mo界面に0.5nm,Mo-on-Si界面に1.5nmずつのSiO$$_{2}$$層を挿入したMo(4.0)/SiO$$_{2}$$(0.5)/Si(4.0)/SiO$$_{2}$$(1.5)多層膜が高い耐熱性と軟X線反射率とを実現することを見いだした。この多層膜は400$$^{circ}C$$における熱処理後も熱処理前と同様の高い軟X線反射率を示し、500$$^{circ}C$$までの熱処理に対して安定な構造を有する。この温度は従来のMo/Si多層膜に比べ、約200$$^{circ}C$$と高い。

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分野:Physics, Applied

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