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Radiation annealing in nickel and copper by 100 MeV iodine ions

ニッケル及び銅における100MeVヨー素イオンによる照射アニーリング

岩瀬 彰宏; 岩田 忠夫; 佐々木 茂美; 仁平 猛*

Iwase, Akihiro; Iwata, Tadao; Sasaki, Shigemi; Nihira, Takeshi*

あらかじめ簡単な欠陥をドープしたNi、Cuにおける100MeV Iイオンによる照射アニーリングについて、10k以下での損傷生成率の測定により調べた。実験結果は複数の種類の欠陥の生成・消滅を記述した新しいモデルを用いて解析した。その結果NiにおいてはステージIの熱アニーリングに相当する欠陥の消滅が照射中に起こり、その消滅断面積は6.5$$times$$10$$^{-12}$$~1.4$$times$$10$$^{-12}$$cm$$^{2}$$であった。一方Cuにおいては、ステージIアニーリングに相当する欠陥の照射中における消滅断面積は4.6$$times$$10$$^{-13}$$cm$$^{2}$$であった。Cuに比べてNiにおける照射アニーリングが大きく現われるのは、原子格子相互作用を通じて、イオンによって励起された電子のエネルギーが格子系に伝わり、照射アニーリングに寄与したものである、と結論した。

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分野:Physics, Multidisciplinary

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