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Formation and dynamics of exciton pairs in solid argon probed by electron-stimulated ion desorption

固体アルゴンの価電子帯領域励起による電子衝撃脱離におけるエネルギーしきい値; エキシトン対生成の確証

馬場 祐治  ; G.Dujardin*; P.Feulner*; D.Menzel*

Baba, Yuji; G.Dujardin*; P.Feulner*; D.Menzel*

固体アルゴン及びクリプトンからのAr$$^{+}$$、Ar$$_{2+}$$、Ar$$^{2+}$$及びKr$$^{+}$$イオンの電子衝撃脱離(ESD)挙動を10~120eVの照射エネルギー範囲で調べた。脱離に必要な照射エネルギーのしきい値は、Ar$$^{+}$$及びAr$$_{2+}$$で24.2eV、Kr$$^{+}$$で30eVであった。またAr$$^{2+}$$はAr$$^{3+}$$の生成に対応する84eVにおいて初めて脱離する。Ar$$_{2+}$$の脱離では、24.2eV、25.4eV、34eV、50eVに共鳴構造が認められた。前者2つの構造は、表面及びバルクに存在する隣接する2原子のエキシトン生成に対応する。25.4eVの脱離ピーク強度の厚み依存性を調べたところ、バルクのエキシトン対の拡散は、100層以上にも及ぶことが明らかとなった。

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分野:Physics, Multidisciplinary

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