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Trapping of low-energy xenon ions in surfaces of transition metals

遷移金属表面における低エネルギーキセノンイオンの捕捉

馬場 祐治; 山本 博之; 佐々木 貞吉

Baba, Yuji; Yamamoto, Hiroyuki; Sasaki, Teikichi

3d,4d及び5d系列の遷移金属表面に、5keVでイオン注入されたXeの捕捉状態をX線光電子分光法(XPS)で調べた。表面におけるイオン照射後のXe/Me比(Me:金属)は金属によって異なり、O(Au)から4.1$$times$$10$$^{-2}$$(Sc,Ti)まで分布した。注入時のスパッタリングの効果を補正し、各金属におけるイオンの捕捉率を計算した結果、捕捉率が金属元素の周期律表の位置に依存し、d電子数の増加とともに減少することを見出した。

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