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反応性イオンを照射したSi(100)表面の化学状態

XPS study of Si(100) bombarded with low-energy reactive ions

山本 博之; 馬場 祐治  ; 佐々木 貞吉

Yamamoto, Hiroyuki; Baba, Yuji; Sasaki, Teikichi

低エネルギーイオン注入における照射イオン種の化学効果を明らかにする目的で、B$$^{+}$$,C$$^{+}$$,N$$^{+}$$,O$$^{+}$$,F$$^{+}$$,Ne$$^{+}$$をSi(100)評面に対してそれぞれ5keVで照射した。この試料を用い、XPSにより表面組成、化学状態の変化を解析した。照射後の表面化学変化は、以下の3つに大別できる。1)照射に伴う表面偏析の効果が大きいため、注入イオン濃度の極めて高い表面層を形成するもの(B$$^{+}$$,C$$^{+}$$)、2)Si化合物が化学的に安定なため、注入されたイオンがSiとの安定な化合物を形成(平衡に達するもの(N$$^{+}$$,O$$^{+}$$)、3)Si化合物、照射イオンの元素、いずれの昇華エネルギーとも小さいため、イオンはほとんど捕捉されず、Si表面に大きな変化のみられないもの(F$$^{+}$$,Ne$$^{+}$$)、である。以上の結果は、表面組成がSi原子とイオン種の組合せによって著しく異なるものの、表面化学状態については生成自由エネルギーなどに基づき、かなり正確に予想し得るものであることを示唆する。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

表面科学

巻

 :

13

号

 :

5

ページ数

 :

p.310 - 313

発行年月

 :

1992/07

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

低エネルギー反応性イオン照射; 表面化学状態; XPS; Si

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1380/jsssj.13.5_310

研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

広報プレスリリース

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