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シリコンウェハー板上のエポキシオリゴマー薄膜(1~25
m)の紫外線および電子線薄膜重合をおこない、膜厚、線量と重合速度との関係を検討した。吸収エネルギー100eVごとに反応したオリゴマーの分子数(G値)は電子線照射では膜厚10mまでは膜厚増加とともに直線的に増加するが10m以上では一定で120であった。しかし紫外線照射では膜厚増加とともに直線的に増加し、25mでは45であった。このことは電子線と紫外線との透過力の差と、吸収エネルギーの差で、光の場合分子による光エネルギーの吸収は選択的であるが、電子線では多種多様の励起とイオン化がおこり、複雑に重合に関与している為と考えられる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 40 |
号 |
: | 2 |
ページ数 |
: | p.161 - 165 |
発行年月 |
: | 1992/00 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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Altmetrics |
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