3d遷移金属に注入された希ガス原子(Ne,Ar,Kr,Xe)の内殻光電子分光

Core-level photoelectron spectroscopy of rare-gas atoms(Ne, Ar, Kr, Xe) implanted in 3d transition metals

馬場 祐治  ; 山本 博之; 佐々木 貞吉

Baba, Yuji; Yamamoto, Hiroyuki; Sasaki, Teikichi

3d系列の遷移金属に注入された希ガス原子(Ne,Ar,Kr,Xe)の内殻イオン化過程を光電子分光法により調べた。注入された希ガス原子の内殻軌道イオン化にともなう原子外緩和エネルギーは、母体金属のd電子数とともに増大する。金属中のXeの原子外緩和エネルギーの大きさは、金属表面に吸着した単層及び多層のXeの値より、むしろ母体金属自身の固相-気相間の緩和エネルギー差に近い。これらの事実は、金属中の希ガス原子のイオン化により生成した正孔が、母体金属のd電子により遮蔽されることを示している。また、同一の母体金属(Ti)の場合、原子外緩和エネルギーの大きさは、希ガス原子の原子番号の順(NeArKrXe)に増大する。これは希ガスの原子半径が大きいほど、周辺金属の相互作用が大きく、d電子による正孔遮蔽効果が大きくなることから説明できる。

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