Vacancy-type defects in Cd, Al, Si, and GaAs studied using variable-energy positron beam

エネルギー可変陽電子ビーム法によるCd,Al,Si,GaAs中の空孔の研究

各種材料をイオン照射して空孔型欠陥を導入し、これにエネルギー可変の低速陽電子ビームを当てて、空孔型欠陥の深さ分布を測定した。イオン照射後昇温し、空孔の回復に伴う陽電子消滅でのSパラメータの変化を調べ、解析を行った。

no abstracts in English

使用言語	:	English
掲載資料名	:	Physica Status Solidi (B)
巻	:	172
号	:	2
ページ数	:	p.529 - 537
発行年月	:	1992/08
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	Positron Annihilation; Positron Beam; Vacancy; Radiation Effect; Defect; Si; Cd; Al; GaAs

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1002/pssb.2221720204
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:	パーセンタイル：8.49 分野：Physics, Condensed Matter
Altmetrics	:

登録番号 : A19920205
抄録集掲載番号 : 210038
論文投稿番号 : 11431

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.