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Vacancy-type defects in Cd, Al, Si, and GaAs studied using variable-energy positron beam

エネルギー可変陽電子ビーム法によるCd,Al,Si,GaAs中の空孔の研究

高村 三郎; 伊藤 泰男*

Takamura, Saburo; Ito, Yasuo*

各種材料をイオン照射して空孔型欠陥を導入し、これにエネルギー可変の低速陽電子ビームを当てて、空孔型欠陥の深さ分布を測定した。イオン照射後昇温し、空孔の回復に伴う陽電子消滅でのSパラメータの変化を調べ、解析を行った。

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パーセンタイル:8.6

分野:Physics, Condensed Matter

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