宇宙空間での誤動作対策; シングルイベントと耐放射線性宇宙用半導体開発

Error prevention of space

人工衛生や宇宙開発の信頼性はそこで使用する半導体部品の宇宙放射線による劣化や誤動作に左右されることが多い。半導体素子に対する宇宙放射線の効果は、トータルドーズ効果とシングルイベント効果に分けられる。MOS構造に対するトータルドーズ耐性の向上は酸化プロセスの低温化や酸化膜厚の低減などによって大巾に改善できようになった。これに対し、シングルイベント効果は耐性の評価が困難であるため、その耐性の向上は今後の研究開発課題となっている。日本原子力研究所高崎研究所の放射線高度利用研究施設のサイクロトロンとマイクロイオンビーム装置はこのための強力な手段となる。また、トータルドーズとシングルイベント両面で優れた耐性を期待できる新しい半導体材料としては、低原子番号広バンド巾半導体である炭化ケイ素が有望である。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	EMC: electro magnetic compatibility: solution technology: 電磁環境工学情報
巻	:
号	:	58
ページ数	:	p.70 - 75
発行年月	:	1993/02
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	宇宙放射線; 宇宙用半導体; トータルドーズ; シングルイベント; サイクロトロン; マイクロイオンビーム; 炭化ケイ素

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登録番号 : A19920478
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 27504

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