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表面XANES法によるSiO$$_{x}$$およびSiN$$_{x}$$の電子構造解析

Analysis of electronic structures of ion-implanted SiO$$_{x}$$ and SiN$$_{x}$$ by surface XANES

馬場 祐治  ; 山本 博之; 佐々木 貞吉

Baba, Yuji; Yamamoto, Hiroyuki; Sasaki, Teikichi

非化学量論組成をもつSiO$$_{x}$$(0≦x≦2)及びSiN$$_{x}$$(0≦x≦4/3)の伝導帯領域の電子構造を、放射光をプローブとするX線吸収端微細構造法(XANES)により調べた。SiO$$_{x}$$ではSi2P吸収端近傍のXANESスペクトルはSiO$$_{2.00}$$に類似した構造を示し、中間組成をもつSiO等による共鳴吸収ピークは認められなかった。これはSiO$$_{x}$$層がSi及びSiO$$_{2}$$のislandの混合層から成り、その伝導帯はSiO$$_{2}$$の軌道成分から構成されていることを示唆している。一方、SiN$$_{x}$$のSi2P領域のXANESスペクトルは、xの値により漸次変化する。またx$$>$$1.0においてNIS吸収端のXANESスペクトルには窒素原子のダングリングボンドに起因する鋭い吸収が観測された。これらのことからSiN$$_{x}$$層はSiO$$_{x}$$層と異なり、Si原子にN原子がランダムに配位する構造をとることが明らかとなった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

表面科学

巻

 :

14

号

 :

5

ページ数

 :

p.260 - 264

発行年月

 :

1993/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

X-ray Absorption Near Edge Structure; Silicon Oxide; Silicon Nitride; Ion Implantation; XPS

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1380/jsssj.14.260

研究データの公開先DOI

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