at the Si 1s edgeのSi 1s吸収端における共鳴オージェ過程Baba, Yuji; Sasaki, Teikichi; Yamamoto, Hiroyuki
放射光により、SiOのSi 1s軌道電子を励起した際に発生するSi KL
Lオージェ電子スペクトルを測定し、以下の結果を得た。1)Si 1sから伝導帯への共鳴励起により発生するオージェ電子(共鳴オージェ電子)は、Si 1s軌道電子のイオン化により生じるオージェ電子(ノーマルオージェ電子)に比べ1~8eV運動エネルギーが高い。2)共鳴オージェ電子の運動エネルギーは、照射する放射光のエネルギーに比例して高エネルギー側にシフトする。これらの結果は、励起された電子がオージェ遷移の間、スペクテーター電子として伝導帯内に留まり、Si 2P軌道から放出されるオージェ電子と相互作用することを示している。このような共鳴オージェ電子のエネルギーシフトは、内殻正孔の遮蔽効果の大きい半導体(Si,SiC)では観測されないことから、バンドギャップの大きい絶縁体(誘電体)特有の現象と考えられる。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 49 |
号 |
: | 1 |
ページ数 |
: | p.709 - 711 |
発行年月 |
: | 1994/01 |
キーワード |
: | Resonant Auger Process; SiO |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：86.42 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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