Electronic structures of N $_{2+}$ -ion implanted Si(100)

N $_{2+}$ イオン注入したSi(100)表面の電子構造

Yamamoto, Hiroyuki; Baba, Yuji; Sasaki, Teikichi

高エネルギー物理学研究所放射光施設(PF)が発行する年度報告書(PF Activity Report)用の原稿である。ここでは、10keVのN $_{2+}$ イオンをSi(100)表面に注入し、イオン注入層の電子構造についてXANESを用いて解析した結果を述べた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Photon Factory Activity Report
巻	:
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ページ数	:	P. 260
発行年月	:	1994/00
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キーワード	:	イオン注入; Si; Si $_{3}$ N $_{4}$ ; XANES; 放射光

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登録番号 : A19930552
抄録集掲載番号 : 230061
論文投稿番号 : 12776

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Electronic structures of N-ion implanted Si(100)

Nイオン注入したSi(100)表面の電子構造

Electronic structures of N $_{2+}$ -ion implanted Si(100)

N $_{2+}$ イオン注入したSi(100)表面の電子構造