重イオン照射による耐放射線性高分子多孔膜形成に及ぼすガンマ線照射効果

Effect of gamma-ray on the formation of heavy ion microfilter of high radiation-resistive polymers

高分子内の重イオン飛跡は、化学的エッチングによって飛跡像を顕微鏡下で観察できる大きさに拡大され、長さや巾が測定できる。エッチングされる飛跡は、雰囲気の影響を受け易い。光照射によって飛跡現出化が早められる現象は有名であるが、ガンマ線照射の影響を検討した例は少ない。大部分の飛跡検出用高分子は、ガンマ線照射により損傷を受け、分解するからである。しかし、ガンマ線照射は耐放射線性ポリイミドとPEEK中の飛跡の現出に対しては、有効な効果を及ぼすことが見いだされた。410 $^{8}$ Rad吸収線量にて、飛跡現出時間が1/3以下に短縮されたり、CuイオンとIイオンの場合を比べると、前者の方が後者よりも効果が大であることが分った。この方法を重イオン照射多孔膜作製に利用して検討した一部を述べた。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	放射線
巻	:	21
号	:	2
ページ数	:	p.3 - 9
発行年月	:	1995/00
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キーワード	:	重イオン多孔膜; ポリイミド; PEEK; 重イオン飛跡; エッチング; 雰囲気の影響; ガンマ線; 酸素

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論文URL	:	http://ci.nii.ac.jp/naid/10009333636
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登録番号 : A19940315
抄録集掲載番号 : 230583
論文投稿番号 : 13185

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