Oxide-film thickness measurements by high-energy XPS

高エネルギーX線電子分光法を用いた酸化物薄膜の膜厚測定

Yamamoto, Hiroyuki; Baba, Yuji; Sasaki, Teikichi

一般に固体中における電子の平均自由行程は、その運動エネルギーによって変化することが知られている。この性質を利用し、放射光を用い照射するX線のエネルギーを変化させ、放出される光電子の運動エネルギーを変えることによって、XPSを用いた表面における深さ方向の解析が可能になると考えられる。本研究では、空気酸化したSi(100)およびO $_{2+}$ 注入Siを対象に、1.9~4.6keVの放射光ビームでSi1s光電子を発生させることにより、Si酸化層の膜厚測定を試みた。それぞれのhにおいて得られたSi/SiO $_{2}$ 比の結果から、数nm程度の膜厚を評価することができた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Photon Factory Activity Report
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ページ数	:	P. 366
発行年月	:	1995/00
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キーワード	:	高エネルギーXPS; 薄膜; 膜厚測定; X線光電子分光法; Si; SiO $_{2}$ ; 放射光

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登録番号 : A19940493
抄録集掲載番号 : 240465
論文投稿番号 : 13955

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