工藤 博*; 福生 太郎*; 石原 豊之*; 竹下 英文; 青木 康; 山本 春也; 楢本 洋
Kudo, Hiroshi*; not registered; not registered; Takeshita, Hidefumi; Aoki, Yasushi; Yamamoto, Shunya; Naramoto, Hiroshi
Si結晶を用いて、〈100〉及び〈110〉結晶軸にほぼ平行に2.5及び3.5MeV/uのイオンを入射させ、2次的に生成するkeV領域の電子の分光測定を行った。同一速度のイオンについて、2次電子収量の比較を行い、原子列と斜入射衝突するイオンの荷電状態を決定した。その結果、He
、C
、O
等の比較的軽いイオンは標的原子からは電子を捕獲しないが、Si、S、Cl等の重いイオンになると入射時の荷電状態によって、電子を失ったり、あるいは捕獲したりする複雑な挙動も示すことが明らかとなった。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 50 |
号 |
: | 5 |
ページ数 |
: | p.4049 - 4056 |
発行年月 |
: | 1994/11 |
キーワード |
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論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：44.18 分野：Optics |
Altmetrics |
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