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Photon-stimulated ion desorption from condensed SiCl$$_{4}$$ by resonant excitation at the K-edges

K-吸収端共鳴励起によるSiCl$$_{4}$$凝縮層からのイオンの脱離

馬場 祐治  ; 吉井 賢資  ; 佐々木 貞吉

Baba, Yuji; Yoshii, Kenji; Sasaki, Teikichi

SiCl$$_{4}$$凝縮層に、Si-及びCl-K吸収端付近のエネルギーをもつ放射光を照射した時のイオンの脱離挙動を調べた。Si1s励起ではSi$$^{+}$$、Cl$$^{+}$$、SiCl$$^{+}$$、SiCl$$_{3+}$$がほぼ同程度の強度で脱離したが、Cl1s励起では、脱離イオンの80%以上がCl$$^{+}$$であり、内殻励起による脱離に元素選択性があることを見出した。Cl1s励起におけるCl$$^{+}$$イオンは主としてCl1s$$rightarrow$$$$alpha$$$$^{ast}$$(8a$$_{1}$$)共鳴励起により脱離し、Cl1s$$rightarrow$$$$alpha$$$$^{ast}$$(9t$$_{2}$$)共鳴励起や、より高い照射エネルギーではほとんど脱離しない。これは8a$$_{1}$$軌道の構成成分として反結合性Cl3P$$^{ast}$$軌道が多いため、1s軌道から共鳴励起された電子(スペクテーター電子)の存在により、Si-Cl結合が弱められるためであると結論した。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Surface Science

巻

 :

341

号

 :

ページ数

 :

p.190 - 195

発行年月

 :

1995/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

Tetrachlorosilane; Photon-stimulated Desorption; Resonant Excitation; Synchrotron Radiation

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/0039-6028(95)00690-7

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

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Access

 :

- Accesses

InCites™

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パーセンタイル：64.57

分野：Chemistry, Physical

Altmetrics

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