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Lattice expansion in EuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{y}$$ irradiated with energetic ions

イオン照射した高温超伝導体EuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{y}$$のc軸長変化

石川 法人   ; 岩瀬 彰宏; 知見 康弘; 前田 裕司; 鶴 浩二*; 道上 修*

not registered; Iwase, Akihiro; not registered; Maeta, Hiroshi; not registered; not registered

高温超伝導体EuBa$$_{2}$$Cu$$_{3}$$O$$_{y}$$ c軸配向膜についてイオン照射を行い、照射後のc軸長変化を測定し、照射時の欠陥生成過程についての考察を行った。0.85~2.0MeVのHe、C、Ne、Arのような低エネルギーイオンの照射を行った場合、照射量に対するc軸長の伸び率は核的阻止能に比例して増加することが判った。それに対して、120MeV~200MeVのNi、I、Auのような高エネルギーイオンの照射を行った場合、低エネルギーイオンの照射で見られた振舞いからのずれが観測され、そのずれが電子的阻止能でスケールされることが判った。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Physica C

巻

 :

259

号

 :

ページ数

 :

p.54 - 60

発行年月

 :

1996/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

イオン照射; 高温超伝導体; 格子欠陥

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/0921-4534(96)00022-6

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

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Access

 :

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パーセンタイル：55.67

分野：Physics, Applied

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