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Study on ion-molecule reactions in the H$$_{3+}$$ system with the trajectory-surface-hopping model

Trajectory-surface-hopping法によるH$$_{3+}$$系のイオン分子反応の理論計算

市原 晃; 白井 稔三; 横山 啓一

Ichihara, Akira; Shirai, Toshizo; Yokoyama, Keiichi

非経験的分子軌道計算(ab initio full configuration interaction calculation with a [8s6p2d1f] Gaussian type basis set)で得られたH$$_{3+}$$の3次元ポテンシャル面上でtrajectory-surface-hopping法を用いることにより、D$$^{+}$$+H$$_{2}$$、D$$^{+}$$+D$$_{2}$$、及びH$$^{+}$$+D$$_{2}$$衝突で生じる電荷移動及び粒子組み替え反応の断面積を計算した。ポテンシャル面間の非断熱的電子遷移の確率は、Landau-Zener-Stuckelberg近似に基づいて評価した。その結果、衝突エネルギーが2.5eVから5.0eVの範囲では、計算結果は実験値と定量的に一致することが確認された。

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分野:Chemistry, Physical

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