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低エネルギー(5$$sim$$200eV) SiF$$_{3+}$$、SiF$$^{+}$$イオンのCu(100)表面における散乱

Scattering of low-energy SiF$$_{3+}$$ and SiF$$^{+}$$ ions(5$$sim$$200eV) on Cu(100) surface

山本 博之; 馬場 祐治  ; 佐々木 貞吉

Yamamoto, Hiroyuki; Baba, Yuji; Sasaki, Teikichi

試作した低エネルギーイオン照射装置を用い、5~200eVのSiF$$_{3+}$$、SiF$$^{+}$$分子イオンをCu(100)表面に照射し、散乱した各イオン(散乱角77°)の質量およびエネルギー分布を同時に測定することによって、散乱過程および照射された分子イオンの散乱に伴う解離のしきい値を明らかにした。この結果、SiF$$_{3+}$$、SiF$$^{+}$$分子イオンの散乱に伴う解離のしきい値はそれぞれ30$$pm$$2eV、40$$pm$$2eVであった。これらの値についてimpulsive collision modelを用いた解析を行った結果、分子イオンの解離が振動励起を介していることが示唆された。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

表面科学

巻

 :

17

号

 :

8

ページ数

 :

p.436 - 439

発行年月

 :

1996/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

低エネルギーイオン; 分子イオン; イオン散乱; 解離性散乱; 表面

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1380/jsssj.17.436

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

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