not registered; Sekiguchi, Tetsuhiro; Tanaka, Kenichiro*
Si(100)上に化学吸着した重水素置換したギ酸からの光刺激イオン脱離反応について結合を選択したC 1s電子励起によって研究を行った。各イオン収量は励起エネルギーに強く依存し、特定の反結合性軌道への励起によって選択された結合が切れ、それによりイオン収量が増大することを見い出した。結果は吸着系での内殻イオン脱離に対して提出された2ホール1電子反応機構の妥当性を示した。更に
(C-D)/3S Rydberg混合励起状態に相当する共鳴ピークで、D
ピークは(C-D)価電性励起に、CDピークはRydberg性励起に分離されることが見出された。また、INDO/CI分子軌道法による励起電子状態理論との比較を行い脱離機構を考案した。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 53 |
号 |
: | 19 |
ページ数 |
: | p.12655 - 12658 |
発行年月 |
: | 1996/05 |
キーワード |
: | ギ酸(HCOOH); シリコン(Si); 放射光; 結合選択反応; 内殻励起; 光分解; 反結合性軌道; 光刺激脱離; 表面光化学反応 |
論文URL |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：79.44 分野：Materials Science, Multidisciplinary |
Altmetrics |
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