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Ar$$^{+}$$イオンアシスト反応性蒸着法により作製されたルチル型TiO$$_{x}$$薄膜の電気的特性

Electrical properties of rutile-tipe TiO$$_{x}$$ thin films prepared by ion beam assisted reactive deposition method

笹瀬 雅人*; 鷹野 一朗*; 磯部 昭二*; 横山 修一*

Sasase, Masato*; Takano, Ichiro*; not registered; not registered

Ar$$^{+}$$イオンアシスト反応性蒸着(IBARD)法を用いて室温で電気的特性の良好なルチル型TiO$$_{2}$$薄膜の作製を試みた。Ar$$^{+}$$イオン電流密度が20、30、40$$mu$$A/cm$$^{2}$$で作製されたTiO$$_{2}$$薄膜は、150$$^{circ}$$C以下の低温でルチル型構造を示し、電流密度が10$$mu$$A/cm$$^{2}$$以下では、アモルファスを示した。電気抵抗率はAr$$^{+}$$イオン電流密度が20$$mu$$A/cm$$^{2}$$で10$$^{10}$$$$Omega$$cmと最大となり、さらに電流密度を増加させると減少した。その時の絶縁破壊電圧は6.5$$times$$10$$^{4}$$V/cmの値を示した。同様に、膜中のO/Ti組成比は電流密度20$$mu$$A/cm$$^{2}$$で最大値を示し、さらに電流密度を増加させると減少した。これらの測定結果から、IBARD法で作製されたルチル型TiO$$_{2}$$薄膜の電気的特性はバルクのルチル型TiO$$_{2}$$に匹敵し、さらにAr$$^{+}$$イオン電流密度を制御することで、膜組成を変化させ、膜の電気的特性をも変化できることがわかった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

電気学会論文誌,A

巻

 :

116A

号

 :

9

ページ数

 :

p.804 - 809

発行年月

 :

1996/09

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

IBARD法; 酸化チタン薄膜; ルチル構造; 低温成膜; 電気的特性

特許データ

 :

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