High-switching frequency amplifier of IGBT for disruption feedback control systems

ディスラプション制御のためのIGBT素子による高速インバータ電源

松崎誼; 大森憲一郎; 嶋田隆一*; 南圭次*; 尾崎章*; 比嘉修*; 川島秀一*

Matsuzaki, Yoshimi; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered; not registered

プラズマディスラプションを回避する手法として、m=2/n=1のMHDモードの成長、即ちプラズマ磁気面の変形を制御する方法がある。このためには磁気面の変形速度0.1~0.5msに対応して、外部より10kHz程度の変速磁場を印加する必要がある。このディスラプションフィードバック制御システムは、真空容器内のサドルコイルに、磁気プローブ信号から必要な値を計算し、PWM制御で超高速インバータ電源を駆動するものである。JFT-2Mに適用するこのシステムに必要な電源は、500V、3000Aの直流電源を10kHzの超高速でスイッチングする超高速・大容量電源である。この電源の素子として最近開発された自己消弧型半導体素子IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)を使用し、このインバータ電源を製作した。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	IEEE 13th Symp. on Fusion Engineering, Vol. 1
巻	:
号	:
ページ数	:	p.89 - 92
発行年月	:	1989/00
発表会議名	:	13th Symp. on Fusion Engineering
開催年月	:	1989/10
開催都市	:	America
開催国	:
キーワード	:	ディスラプション; MHDモード; 超高速インバータ電源; IGBT

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登録番号 : B19890221
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 9757

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