New in-situ parallel-detection electron energy-loss spectroscopy of SiC crystals irradiated with hydrogen ions

水素イオン照射したSiC結晶のパラレル-EELS

Hojo, Kiichi; Furuno, Shigemi; Soga, Takeshi; not registered

SiC結晶に低速水素イオンを照射し、形成される照射欠陥の挙動をその場で観察しながら、同時にパラレル-EELSによる測定を行い構造変化および電子状態の変化を測定した。SiC結晶の第1、第2プラズモン損失ピータが照射量の増加にともない低エネルギ側にシフトすることを測定した。このピークのシフトは試料組成比の変化に起因する。このシフト量からSi/Cが約1.2であることが推定できた。又、1310 $^{18}$ ions/cm $^{2}$ 以上の照射量で、13.6eV近傍に新しい損失ピークが観察できた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Nuclear Materials
巻	:	179-181
号	:
ページ数	:	p.411 - 414
発行年月	:	1991/00
発表会議名	:	4th Int. Conf. on Fusion Reactor Materials
開催年月	:	1989/12
開催都市	:	京都
開催国	:
キーワード	:	パラレル-EELS; その場観察; 電顕; SiC結晶; 水照イオン照射; プラズモン損失

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1016/0022-3115(91)90112-K
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:
広報プレスリリース	:
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：74.4 分野：Materials Science, Multidisciplinary
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登録番号 : B19890407
抄録集掲載番号 : 190517
論文投稿番号 : 10412

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