シングルイオンヒット技術の開発

Development of single-ion-hit technology

Utsunomiya, Nobuhiro; Kamiya, Tomihiro; Tanaka, Ryuichi; Minehara, Eisuke

原研高崎での放射線高度利用研究テーマの1つである半導体デバイスのシングルイベント効果の研究では、複数個のイオンあるいはシングルイオンを狙った微小部位に打ち込み、照射効果の部位依存性解明や過渡現象の測定などの基礎研究を行うことが計画されており、それらを可能にするためのシングルイオンヒット技術の開発を現在行っている。今回は、シングルイオンヒット技術の検討結果及び実験経過などについて述べる。

no abstracts in English

使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	第3回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会報告集
巻	:
号	:
ページ数	:	p.86 - 89
発行年月	:	1990/07
発表会議名	:	第3回タンデム加速器及びその周辺技術の研究会
開催年月	:	1990/07
開催都市	:	京都
開催国	:
キーワード	:	シングルイベント効果; シングルイオンヒット

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:
Altmetrics	:

登録番号 : B19900354
抄録集掲載番号 : 47000749
論文投稿番号 : 21381

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.