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Release of ion-implanted Kr from (Th,U)O$$_{2}$$; Effect of matrix oxidation

イオン注入Krの(Th,U)O$$_{2}$$からの放出; マトリックス酸化の効果

小川 徹; Verrall, R. A.*; Hj.Matzke*; P.G.Lucata*

Ogawa, Toru; Verrall, R. A.*; Hj.Matzke*; P.G.Lucata*

(Th,U)O$$_{2}$$に40keVでKrイオンを注入し、等時加熱放出挙動を調べた。加熱雰囲気は空気であった。イオン注入前に水素焼鈍を施した試料では、Krの放出は弱い捕獲を伴う拡散放出挙動を示した。イオン注入前に空気中焼鈍を施した試料では、極めて強い捕獲効果が認められた。先に報告したThO$$_{2}$$からの放出挙動と比較考察する。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Solid State Ionics

巻

 :

49

号

 :

ページ数

 :

p.211 - 216

発行年月

 :

1991/00

発表会議名

 :

Int. Symp. on Solid State Chemistry of Advenced Materials

開催年月

 :

1990/12

開催都市

 :

東京

開催国

 :

キーワード

 :

(Th,U)O$$_{2}$$; ThO$$_{2}$$; Release; Krypton; Diffusion; Trapping; Oxidation; Nonstoichiometry

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/0167-2738(91)90088-S

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

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InCites™

 :

パーセンタイル：33.15

分野：Chemistry, Physical

Altmetrics

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