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Model experiments for tritium behavior in pure and Al-doped lithium orthosilicate by using ionic conductivity measurements

イオン電導度を用いたリチウムシリケート及びAlをドープしたリチウムシリケート中のトリチウム挙動のモデル実験

野田 健治; 石井 慶信; 中沢 哲也; 松井 尚之*; D.Vollath*; 渡辺 斉

Noda, Kenji; Ishii, Yoshinobu; not registered; not registered; D.Vollath*; Watanabe, H.

Li$$_{4}$$SiO$$_{4}$$はセラミック増殖材の候補であり、AlをドープしたLi$$_{4}$$SiO$$_{4}$$(Li$$_{3.7}$$Al$$_{0.1}$$SiO$$_{4}$$)はその改良型材料である。本研究では、酸素又はLiイオン照射を用い、Li$$_{4}$$SiO$$_{4}$$及びLi$$_{3.7}$$Al$$_{0.1}$$SiO$$_{4}$$中のトリチウム拡散に及ぼす照射効果をそのイオン電導度(トリチウム拡散を反映)を照射中及び照射後に測定することにより模擬的に調べた。測定結果よりこれらのトリチウム拡散に及ぼす照射効果は以下の様に考えられる。照射後におけるLi$$_{4}$$SiO$$_{4}$$中のトリチウム拡散は413-673Kで照射量とともに増加する。また、照射後におけるLi$$_{3.7}$$Al$$_{0.1}$$SiO$$_{4}$$中のトリチウム拡散は373-413Kで照射量とともに増加するが、443-503Kではほとんど照射量依存性をもたない。

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パーセンタイル:54.87

分野:Nuclear Science & Technology

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