Model experiments for tritium behavior in pure and Al-doped lithium orthosilicate by using ionic conductivity measurements

イオン電導度を用いたリチウムシリケート及びAlをドープしたリチウムシリケート中のトリチウム挙動のモデル実験

野田健治; 石井慶信; 中沢哲也; 松井尚之*; D.Vollath*; 渡辺斉

Noda, Kenji; Ishii, Yoshinobu; not registered; not registered; D.Vollath*; Watanabe, H.

Li $_{4}$ SiO $_{4}$ はセラミック増殖材の候補であり、AlをドープしたLi $_{4}$ SiO $_{4}$ (Li $_{3.7}$ Al $_{0.1}$ SiO $_{4}$ )はその改良型材料である。本研究では、酸素又はLiイオン照射を用い、Li $_{4}$ SiO $_{4}$ 及びLi $_{3.7}$ Al $_{0.1}$ SiO $_{4}$ 中のトリチウム拡散に及ぼす照射効果をそのイオン電導度(トリチウム拡散を反映)を照射中及び照射後に測定することにより模擬的に調べた。測定結果よりこれらのトリチウム拡散に及ぼす照射効果は以下の様に考えられる。照射後におけるLi $_{4}$ SiO $_{4}$ 中のトリチウム拡散は413-673Kで照射量とともに増加する。また、照射後におけるLi $_{3.7}$ Al $_{0.1}$ SiO $_{4}$ 中のトリチウム拡散は373-413Kで照射量とともに増加するが、443-503Kではほとんど照射量依存性をもたない。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Fusion Engineering and Design
巻	:	17
号	:
ページ数	:	p.55 - 59
発行年月	:	1991/00
発表会議名	:	2nd International Symposium on Fusion Nuclear Technology (ISFNT-2)
開催年月	:	1991/06
開催都市	:	Karlsruhe
開催国	:	Germany
キーワード	:	セラミック増殖材; Li $_{4}$ SiO $_{4}$ ; Alドープ; イオン電導度; トリチウム拡散; 照射効果; 照射下拡散促進

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1016/0920-3796(91)90036-P
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：53.89 分野：Nuclear Science & Technology
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登録番号 : B19910147
抄録集掲載番号 : 200304
論文投稿番号 : 10889

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