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MOS構造の$$gamma$$線照射前後での酸化膜中電荷分布評価

Evaluation of the charge distribution in the oxide of MOS structure before and after $$gamma$$-ray radiation

岡田 耕平*; 今木 俊昨*; 高橋 芳浩*; 吉川 正人; 大西 一功*

not registered; not registered; Takahashi, Yoshihiro*; Yoshikawa, Masahito; Onishi, Kazunori*

シリコンMOS構造の放射線照射効果の1つとして、酸化膜中の正の固定電荷の蓄積がある。この固定電荷の捕獲位置は不明瞭であり、電荷捕獲機構についてもわからない点が多い。これらの点を明らかにするためには、酸化膜中の捕獲位置を明らかにする必要がある。今回我々は、フッ酸中に酸化膜を浸析させ酸化膜を傾斜エッチングする技術を開発し、これを用いて同一試料中に酸化膜厚の異なるMOS構造を作製した。各膜厚のミッドギャップ電圧を高周波C-V法を用いて測定し、MOS構造酸化膜中の固定電荷蓄積量と膜厚(膜中の固定電荷の位置)の関連性を追求した。その結果、酸化膜中ではSi/SiO$$_{2}$$界面付近に固定電荷が局在し、その量は酸化膜厚に依存しないことがわかった。また照射時の電荷量はMOS構造作製時の酸化温度に大きく依存することが明らかになった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

電子情報通信学会技術研究報告

巻

 :

93

号

 :

172

ページ数

 :

p.23 - 27

発行年月

 :

1993/07

発表会議名

 :

シリコン材料ディバイス研究会

開催年月

 :

1993/07

開催都市

 :

東京

開催国

 :

キーワード

 :

MOS構造; 固定電荷分布; 酸化膜エッチング; $$gamma$$線照射; 電荷捕獲

特許データ

 :

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広報プレスリリース

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