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Dissociative scattering of low-energy SiF$$_{3+}$$ and SiF$$^{+}$$ ions (5-200eV) on Cu(100) surface

Cu表面における低エネルギー分子イオンの散乱挙動

山本 博之; 馬場 祐治  ; 佐々木 貞吉

Yamamoto, Hiroyuki; Baba, Yuji; Sasaki, Teikichi

3eV~の極低エネルギーイオン照射を可能とした装置を試作し、散乱イオン測定への応用を試みた。SiF$$_{3+}$$、N$$_{2+}$$等の分子イオンを、質量分離の後、3~100eVでCu(III)に対して照射した。これらの散乱イオンについて、45$$^{circ}$$Cのセクタ型エネルギー分析器を備えた四重極質量分析計を用いて、散乱イオン強度、質量およびエネルギーを測定した。この結果、SiF$$_{3+}$$を照射した場合では、照射エネルギーの増加に伴って散乱SiF$$_{3+}$$の強度が減衰し、50eVでほぼ消滅する。一方、表面で解離したSiF$$^{+}$$が35eVで現われ、エネルギーの増加とともに強度が増大する。以上の結果から、照射に伴うSi-Fの解離のしきいエネルギーが35eVであることが明らかとなった。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Applied Surface Science

巻

 :

100-101

号

 :

ページ数

 :

p.333 - 337

発行年月

 :

1996/00

発表会議名

 :

13th Int. Vacuum Congress/9th Int. Conf. on Solid Surfaces

開催年月

 :

1995/09

開催都市

 :

横浜

開催国

 :

キーワード

 :

低エネルギーイオン; イオン散乱; 質量分析; 解離

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/0169-4332(96)00236-X

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：49.93

分野：Chemistry, Physical

Altmetrics

 :

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