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In situ EELS and TEM observation of silicon carbide irradiated with helium ions at low temperature and successively annealed

水素、ヘリウムイオン照射したSiCの高分解能EELS分析とTEM観察

北條 喜一; 古野 茂実; 櫛田 浩平; 大津 仁*; 古谷 吉男*; 出井 数彦*

Hojo, Kiichi; Furuno, Shigemi; Kushita, Kohei; not registered; not registered; not registered

イオン照射型・電界放射電子銃付電子顕微鏡付設透過電子エネルギー分光器を用いて、水素及びヘリウムイオンをSiCに連続照射し、その構造と電子状態の変化を観察、測定した。その結果、室温照射では損傷量が約1dpaで非晶質化し、プラズモン損失ピークが低エネルギー側(22.7eV$$rightarrow$$19.5eV)にシフトすることを明らかにした。さらに、800$$^{circ}$$C以上の試料温度で照射した場合は構造及び電子状態になんら変化がないことが明らかになった。

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