In situ EELS and TEM observation of silicon carbide irradiated with helium ions at low temperature and successively annealed

水素、ヘリウムイオン照射したSiCの高分解能EELS分析とTEM観察

Hojo, Kiichi; Furuno, Shigemi; Kushita, Kohei; not registered; not registered; not registered

イオン照射型・電界放射電子銃付電子顕微鏡付設透過電子エネルギー分光器を用いて、水素及びヘリウムイオンをSiCに連続照射し、その構造と電子状態の変化を観察、測定した。その結果、室温照射では損傷量が約1dpaで非晶質化し、プラズモン損失ピークが低エネルギー側(22.7eV19.5eV)にシフトすることを明らかにした。さらに、800 $^{circ}$ C以上の試料温度で照射した場合は構造及び電子状態になんら変化がないことが明らかになった。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B
巻	:	116
号	:
ページ数	:	p.382 - 388
発行年月	:	1996/00
発表会議名	:	8th Int. Conf. on Radiation Effects Insulators; REI-8
開催年月	:	1995/09
開催都市	:	Italy
開催国	:
キーワード	:	SiC; 高分解能EELS; イオン照射; 室温; 高温; 構造変化

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	https://doi.org/10.1016/0168-583X(96)00075-4
研究データの公開先DOI	:
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広報プレスリリース	:
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Access	:	- Accesses
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InCites™	:	パーセンタイル：91.03 分野：Instruments & Instrumentation
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登録番号 : B19950093
抄録集掲載番号 : 240867
論文投稿番号 : 14279

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