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Effects of dual and triple beam irradiation with O, He and H-ions on damage structures in single crystal Al$$_{2}$$O$$_{3}$$

Al$$_{2}$$O$$_{3}$$単結晶の損傷組織に及ぼすO、He及びHイオンのトリプル、デュアルビーム照射効果

片野 吉男; 中沢 哲也; 八巻 大樹; 有賀 武夫; 北條 喜一; 野田 健治

Katano, Yoshio; not registered; Yamaki, Daiju; not registered; Hojo, Kiichi; Noda, Kenji

本研究では、高純度アルミナ単結晶へのO、He及びHイオンをデュアル及びトリプルビーム照射を行い、照射後の損傷組織を電子顕微鏡により断面観察した。さらに照射試料はホットルミネッセンス測定によって特性を調べた。デュアルビーム(1.3MeV O$$^{+}$$及び0.45MeV He$$^{+}$$、照射温度;932K)照射材では、大きさ10~20nmの格子間原子型転位ループ及び5nmの大きさのキャビーティが入射表面から深さ方向に1.2$$mu$$mまで分布した。一方1.3MeV O$$^{+}$$及び0.25MeV H$$^{+}$$、デュアルビーム照射では、照射欠陥集合体は観察されなかった。しかしホットルミネッセンス測定からFセンター形成に伴う励起光が観察された。この結果からO$$^{+}$$及びH$$^{+}$$イオン照射ではAl$$_{2}$$O$$_{3}$$中にO-Vacancy及びO-H基が生成しているものと解釈される。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B

巻

 :

116

号

 :

ページ数

 :

p.230 - 234

発行年月

 :

1996/00

発表会議名

 :

8th Int. Conf. on Radiation Effects Insulators; REI-8

開催年月

 :

1995/09

開催都市

 :

Italy

開催国

 :

キーワード

 :

Al$$_{2}$$O$$_{3}$$; セラミックス; 電気絶縁材料; 照射効果; 電子顕微鏡; イオン照射; 組織

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1016/0168-583X(96)00039-0

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

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 :

パーセンタイル：37.82

分野：Instruments & Instrumentation

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