Study of carbon impurity generation by chemical sputtering in JT-60U

JT-60Uにおける化学スパッタリングによる炭素不純物の発生

東島智; 久保博孝; 杉江達夫; 清水勝宏; 朝倉伸幸; 伊丹潔; 細金延幸; 逆井章; 木島滋; 櫻井真治; 竹永秀信

Higashijima, Satoru; Kubo, Hirotaka; Sugie, Tatsuo; Shimizu, Katsuhiro; Asakura, Nobuyuki; Itami, Kiyoshi; Hosogane, Nobuyuki; Sakasai, Akira; Konoshima, Shigeru; Sakurai, Shinji; Takenaga, Hidenobu

定常運転を行うITER等の次期装置では、ダイバータ板損耗抑制の観点から低温・高密度ダイバータが想定されているが、その場合中性粒子等による化学スパッタリング過程が重要となる。この化学スパッタリングについては、実験室系の装置でかなり調べられてきている。しかし実機でのデータはほとんどなく、ITERの物理R&Dの要請項目の一つとなっている。そこで、炭化水素分子から発せられるCDバンド光をJT-60Uにおいて新たに分布測定し、化学スパッタリング率の炭素タイル表面温度依存性、電子密度依存性、電子温度依存性について調べた。例えば表面温度依存性については、弱い依存性しか示さないとの結果を得ている。これはJT-60Uダイバータ部の電子温度が100eV以下と比較的低いことが理由として考えられる。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Nuclear Materials
巻	:	241-243
号	:
ページ数	:	p.574 - 578
発行年月	:	1997/02
発表会議名	:	12th Int. Conf. on Plasma Surface Interactions in Controlled Fusion Devices
開催年月	:	1996/05
開催都市	:	France
開催国	:
キーワード	:	炭素不純物発生; 化学スパッタリング; CDバンド光; 炭化水素分子; 炭素タイル表面温度; ダイバータ部電子密度; JT-60U

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1016/S0022-3115(97)80102-X
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InCites™	:	パーセンタイル：63.12 分野：Materials Science, Multidisciplinary
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登録番号 : B19960156
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