Characteristics of edge localized mode in JFT-2M H-mode

JFT-2M HモードプラズマにおけるFLMの特性

松本 宏; R.J.Goldston*; 船橋 昭昌; 星野 克道; 川島 寿人; 河上 知秀; 前田 彦祐; 的場 徹; 松田 俊明; 三浦 幸俊; 森 雅博; 中沢 一郎*; 小田島 和男; 小川 宏明; 小川 俊英; 大麻 和美; 仙石 盛夫; 荘司 昭朗; 鈴木 紀男; 玉井 広史 

Matsumoto, Hiroshi; R.J.Goldston*; not registered; Hoshino, Katsumichi; Kawashima, Hisato; Kawakami, Tomohide; Maeda, Hikosuke; Matoba, Toru; Matsuda, Toshiaki; Miura, Yukitoshi; Mori, Masahiro; Nakazawa, Ichiro*; Odajima, Kazuo; Ogawa, Hiroaki; Ogawa, Toshihide; not registered; Sengoku, Seio; Shoji, Teruaki; Suzuki, Norio; Tamai, Hiroshi

JFT-2MのHモードプラズマにおいて観測される周辺振動現象の特性について明らかにした。ELMは周辺電子密度に大きな影響を与えるが、電子温度への影響は、セパラトリック面の近傍を除くと少ないことが、ECE測定より明らかとなった。ELMの起きる実験的条件、制御方法を明らかにし、まとめた。まず、重水素プラズマ中では、一般にELMは起きにくいが、密度が低くなると起きる。また、重水素プラズマに比べ、水素プラズマ中ではELMは起きやすい。このELMは加熱入力を増すことにより制御できる。またプラズマ電流をたち下げることにより抑制でき、たち上げることにより、ELMを生成できることが明らかにされた。ELMのMHD特性を磁気プローブ信号の解析により明らかにした。

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