HTTRは数十cmの大型試料を約1000
Cまでの高温で照射できる能力を有する。そこで、高温環境下での動作が可能な高性能半導体として有望なGaAsやSiC半導体をHTTRを用いて製造する方法の有用性、実現可能性について検討した。まず、NTD法の現状について調べ、その利点と問題点を明らかにした。これに基づき、GaAs及びSiCへのNTD法の適用性を調べ、HTTRを用いた製造の有用性について基礎的な検討を行った。その結果、NTD法はSiCには有望であるがGaAsには適切ではないこと、さらに、SiC結晶の大型化が実現できれば、HTTRの特徴を生かして、(1)照射損傷の抑制、(2)不純物分布の均一性、(3)大型試料の照射による生産性の向上、の点で効果的なSiC半導体の製造が可能になることを明らかにした。
no abstracts in English
発表言語 |
: | Japanese |
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報告書番号 |
: | JAERI-Review 95-005 |
ページ数 |
: | 81 Pages |
発行年月 |
: | 1995/03 |
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論文URL |
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キーワード |
: | Heat-resisting and Advanced Semiconductor; SiC; NTD; The HTTR; Feasibility Study; Potential Productivity |
Access |
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- Accesses |
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