Vortex pinning on low energy light ions irradiation

低エネルギー軽イオン照射による磁束ピン止め

Sato, Takahiro*; Sasase, Masato; Okayasu, Satoru; Hojo, Kiichi

点欠陥と超伝導特性の関係を明らかにする目的で、低エネルギー軽イオン照射実験を行った。Eu系薄膜超伝導体に45KV He $^{+}$ ,22.5KV H $^{+}$ イオンを照射し、格子定数、T $_{c}$ ,J $_{c}$ 等について測定した。その結果、dpaの増加とともに格子定数は増加し、T $_{c}$ は減少した。また、J $_{c}$ はHe $^{+}$ イオン照射時において高磁場(1~2T)下で上昇する特異な現象が観察された。この現象がHeイオン照射による構造変化の内で何に起因するかまだ明らかにすることはできなかった。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Advances in Superconductivity XII
巻	:
号	:
ページ数	:	p.362 - 364
発行年月	:	2000/00
発表会議名	:	12th International Symposium on Superconductivity (ISS '99)
開催年月	:	1999/10
開催都市	:	Morioka
開催国	:	Japan
キーワード	:	高温超伝導体; イオン照射; J $_{c}$ ; T $_{c}$ ; 高磁場

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登録番号 : B19991095
抄録集掲載番号 : 280676
論文投稿番号 : 17634

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