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Band structures of Wurtzite InN and Ga$$_{1-x}$$In$$_x$$N by all-electron $$GW$$ calculation

ウルツァイト型InN及びGa$$_{1-x}$$In$$_x$$Nのバンド構造; 全電子$$GW$$計算

薄田 学; 浜田 典昭*; 白石 賢二*; 押山 淳*

Usuda, Manabu; Hamada, Noriaki*; Shiraishi, Kenji*; Oshiyama, Atsushi*

ウルツァイト型InN及びGa$$_{1-x}$$In$$_x$$Nのバンド構造を、$$GW$$近似に基づく全電子FLAPW計算法を用いて計算した。InNのバンドギャップは1eV以下と求まり、最近報告された実験値を支持する結果となった。

We report first-principles electronic band-structure calculations of InN by using the all-electron full-potential linearized augmented-plane-wave (FLAPW) method in the $$GW$$ approximation (GWA), and provide the reliable theoretical bandgap of InN. Our calculation suggests that InN is a narrow-gap semiconductor and strongly supports the recently reported smaller bandgaps.

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Japanese Journal of Applied Physics, Part 2

巻

 :

43

号

 :

3B

ページ数

 :

p.L407 - L410

発行年月

 :

2004/03

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

InN; GaN; GW近似; バンド

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1143/JJAP.43.L407

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

SPring-8(大型放射光施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

東京理科大学

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

パーセンタイル：72.01

分野：Physics, Applied

Altmetrics

 :

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