Microstructural change with annealing of SiC irradiated with Ne at 573-673 K

色々な温度でNeで照射されたSiCの焼鈍による結晶核生成挙動

相原純 ; 北條喜一; 古野茂実*; 志村憲一郎; 北條智博*; 沢和弘; 山本博之; 本橋嘉信*

Aihara, Jun; Hojo, Kiichi; Furuno, Shigemi*; Shimura, Kenichiro; Hojo, Tomohiro*; Sawa, Kazuhiro; Yamamoto, Hiroyuki; Motohashi, Yoshinobu*

CVD-SiCのTEM試料を色々な温度で20keVNe $^{+}$ で1.510 $^{20}$ Ne $^{+}$ /m $^{2}$ まで照射して引き続き1273Kで焼鈍した。573と583K照射では照射により非晶質化が起こり、焼鈍によって結晶核生成が起こった。598K照射では部分的非晶質化が起こったが焼鈍による結晶核生成は観察されなかった。673K照射では非晶質化が起こらなかった。低温照射の結果も報告する。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B
巻	:	242
号	:	1-2
ページ数	:	p.441 - 444
発行年月	:	2006/01
発表会議名	:	14th International Conference on Ion Beam Modification of Materials (IBMM 2004)
開催年月	:	2004/09
開催都市	:	Monterey
開催国	:	U. S. A.
キーワード	:	SiC; 照射; 非晶質; 結晶核生成

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1016/j.nimb.2005.08.043
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InCites™	:	パーセンタイル：12.86 分野：Instruments & Instrumentation
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登録番号 : B20040676
抄録集掲載番号 : 34000099
論文投稿番号 : 248

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