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Microstructural change with annealing of SiC irradiated with Ne at 573-673 K

色々な温度でNeで照射されたSiCの焼鈍による結晶核生成挙動

相原 純; 北條 喜一; 古野 茂実*; 志村 憲一郎; 北條 智博*; 沢 和弘; 山本 博之; 本橋 嘉信*

Aihara, Jun; Hojo, Kiichi; Furuno, Shigemi*; Shimura, Kenichiro; Hojo, Tomohiro*; Sawa, Kazuhiro; Yamamoto, Hiroyuki; Motohashi, Yoshinobu*

CVD-SiCのTEM試料を色々な温度で20keVNe$$^{+}$$で1.5$$times$$10$$^{20}$$Ne$$^{+}$$/m$$^{2}$$まで照射して引き続き1273Kで焼鈍した。573と583K照射では照射により非晶質化が起こり、焼鈍によって結晶核生成が起こった。598K照射では部分的非晶質化が起こったが焼鈍による結晶核生成は観察されなかった。673K照射では非晶質化が起こらなかった。低温照射の結果も報告する。

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