Ikeura, Hiromi*; Sekiguchi, Tetsuhiro; Koike, Masaki*
ZEP520はポジ型電子照射レジスト材料であり、半導体微細加工において最良の空間分解能を与えている。そのため近年PMMAに代わりゾーンプレート素子等のデバイス材料に使われ始めている。さらなるパターンサイズ微細化のためにはラインエッジラフネス,ポリマー凝集など課題を抱えている。本研究においてはZEP520の基礎物性を得ることを目的とし、直線偏光放射光による内殻励起分光を用い、ZEP520/Si(100)の薄膜特性とX線照射効果を調べた。脱離イオン検出による表面偏光解析によりC-Cl結合は最表面においてのみ配向(40
)を示した。Cl 1s内殻励起によりC-Cl結合が顕著に切断されCl元素が排除される。Si 1s励起により基板との放射線化学反応生成物が増加する。生成物収量の励起エネルギー依存性測定により反応生成物(SiC
H
O
Cl
)の電子構造,生成機構を考察した。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
: | 144-147 |
号 |
: | |
ページ数 |
: | p.453 - 455 |
発行年月 |
: | 2005/06 |
発表会議名 |
: | 14th International Conference on Vacuum Ultraviolet Radiation Physics (VUV-14) |
開催年月 |
: | 2004/07 |
開催都市 |
: | Cairns |
開催国 |
: | Australia |
キーワード |
: | レジスト薄膜; 微細加工; 放射光; 照射; Desorption Induced by Electronic Transition; Polarization Angle Dependence; Inner-shell Excitation |
論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：60.67 分野：Spectroscopy |
Altmetrics |
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