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Characterization and degradation of ZEP520 resist film by TOF-PSID and NEXAFS

飛行時間質量分析法,光刺激イオン脱離法,X線吸収端近傍微細構造法によるZEP520レジスト薄膜の表面配向と照射損傷

池浦 広美*; 関口 哲弘; 小池 正記*

Ikeura, Hiromi*; Sekiguchi, Tetsuhiro; Koike, Masaki*

ZEP520はポジ型電子照射レジスト材料であり、半導体微細加工において最良の空間分解能を与えている。そのため近年PMMAに代わりゾーンプレート素子等のデバイス材料に使われ始めている。さらなるパターンサイズ微細化のためにはラインエッジラフネス,ポリマー凝集など課題を抱えている。本研究においてはZEP520の基礎物性を得ることを目的とし、直線偏光放射光による内殻励起分光を用い、ZEP520/Si(100)の薄膜特性とX線照射効果を調べた。脱離イオン検出による表面偏光解析によりC-Cl結合は最表面においてのみ配向(40$$^{circ}$$)を示した。Cl 1s内殻励起によりC-Cl結合が顕著に切断されCl元素が排除される。Si 1s励起により基板との放射線化学反応生成物が増加する。生成物収量の励起エネルギー依存性測定により反応生成物(SiC$$_{x}$$H$$_{y}$$O$$_{z}$$Cl$$_{n}$$)の電子構造,生成機構を考察した。

no abstracts in English

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パーセンタイル:50.13

分野:Spectroscopy

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