Evolution of the electronic structure from electron-doped to hole-doped states in the two-dimensional Mott-Hubbard system LaPbVS

二次元モット・ハバード系LaPbVSにおける電子ドープ状態からホールドープ状態への電子構造の変化

井野 明洋*; 岡根 哲夫  ; 藤森 伸一   ; 藤森 淳; 溝川 貴司*; 安井 幸夫*; 西川 崇*; 佐藤 正俊*

Ino, Akihiro*; Okane, Tetsuo; Fujimori, Shinichi; Fujimori, Atsushi; Mizokawa, Takashi*; Yasui, Yukio*; Nishikawa, Takashi*; Sato, Masatoshi*

二次元モット・ハバード系LaPbVSにおけるフィリング制御金属絶縁体転移を光電子分光により研究した。x=0.16の前後で化学ポテンシャルのシフトに跳びが観測され、モット絶縁状態によるギャップが開いていることを明らかにした。化学ポテンシャル上の光電子スペクトル強度のフィリング依存性は、電子比熱係数のものとよく一致している。最も金属的な試料でも擬ギャップ的振舞が観測された。これらの結果は、電子有効質量が金属絶縁体転移近傍で増大するという通常のフェルミ流体系の描像とは対照的である。一方、温度を上げるとギャップは急速に埋まる。金属絶縁体転移近傍のスペクトルは、クーロンギャップが形成されていることとコンシステントであり、乱雑さの下での長距離クーロン相互作用の影響を示唆している。

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