高橋 芳浩*; 芝田 利彦*; 村瀬 祐児*; 大西 一功*; 平尾 敏雄; 神谷 富裕
Takahashi, Yoshihiro*; Shibata, Toshihiko*; Murase, Yuji*; Onishi, Kazunori*; Hirao, Toshio; Kamiya, Tomihiro
MOSデバイスに重イオンが入射した時に誘起する電流について探求した。酸化膜厚50
200nmのMOSキャパシタに18MeV酸素イオンまたは150MeVアルゴンイオンを照射し、発生する過渡電流をTIBICシステムにて測定した。MOSキャパシタで誘起する過渡電流について計算機シミュレーションを行った。その結果、MOSキャパシタに重イオンが入射した時に生じる過渡電流は、イオントラック領域から移動した電荷によってゲート直下の表面電位が変化し、これに伴い発生する変位電流が要因であることが判明した。
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使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | p.111 - 114 |
発行年月 |
: | 2004/10 |
発表会議名 |
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開催年月 |
: | 2004/10 |
開催都市 |
: | Tsukuba |
開催国 |
: | Japan |
キーワード |
: | MOSキャパシタ; 重イオン; シングルイオンヒット; TIBIC; 変位電流 |
論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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Access |
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