Consideration to reliability of laser testing for evaluating SEU tolerance

SEU耐性評価におけるレーザ試験の信頼性に対する考察

Abe, Tetsuo*; Onishi, Kazunori*; Takahashi, Yoshihiro*; Hirao, Toshio

シングルイベントアップセット(SEU)耐性をレーザ試験により簡便に評価することは、進展が早く多種である民生デバイスの耐性評価にとって有用である。本報告では、メモリ素子であるSRAMに対する重イオン照射試験を実施し、照射粒子数が比較的少ない条件でSEU反転断面積を求める方法を検討するとともに、その試験結果とレーザ試験との相関を得た。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Proceedings of the 6th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-6)
巻	:
号	:
ページ数	:	p.157 - 160
発行年月	:	2004/10
発表会議名	:	6th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-6)
開催年月	:	2004/10
開催都市	:	Tsukuba
開催国	:	Japan
キーワード	:	シングルイベントアップセット; レーザ照射; SEU耐性評価; 民生デバイス; SEU

特許データ	:
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論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	日本大学

Access	:	- Accesses
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登録番号 : B20041356
抄録集掲載番号 : 47001743
論文投稿番号 : 22342

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