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Carrier removal and defect generation in lattice-mismatched InGaP under 1 MeV electron irradiation

1MeV電子線照射下での格子不整合InGaP中のキャリア減少と欠陥生成

Ekins-Daukes, N. J.*; Lee, H. S.*; 佐々木 拓生*; 山口 真史*; Khan, A.*; 高本 達也*; 安居院 高明*; 上村 邦夫*; 兼岩 実*; 今泉 充*; 大島 武; 神谷 富裕

Ekins-Daukes, N. J.*; Lee, H. S.*; Sasaki, Takuo*; Yamaguchi, Masafumi*; Khan, A.*; Takamoto, Tatsuya*; Agui, Takaaki*; Kamimura, Kunio*; Kaneiwa, Minoru*; Imaizumi, Mitsuru*; Oshima, Takeshi; Kamiya, Tomihiro

高効率太陽電池への応用が期待される格子不整合系InGaP太陽電池(In$$_{0.56}$$Ga$$_{0.44}$$P)へ1MeV電子線を照射し太陽電池特性の変化を調べた。その結果、3$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^{2}$$程度の照射により、一時的に短絡電流が増加するという特異な振る舞いが観測された。この原因を調べるため分光感度特性を調べたところ、長波長側での光吸収が増加することが明らかとなった。さらに、キャリア濃度を調べた結果、キャリア減少率が1.3/cmであると見積もられた。このことより、3$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^{2}$$程度の照射により太陽電池基板の多数キャリアが減少し、その結果、一時的な空乏層長の伸長が生じ、より深部(長波長の光により発生した)のキャリアが収集されて、短絡電流が一時的に増加しすると結論づけられた。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Proceedings of the 6th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-6)

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

p.87 - 91

発行年月

 :

2004/10

発表会議名

 :

6th International Workshop on Radiation Effects on Semiconductor Devices for Space Application (RASEDA-6)

開催年月

 :

2004/10

開催都市

 :

Tsukuba

開催国

 :

Japan

キーワード

 :

格子不整合系InGaP太陽電池; 電子線照射; 分光感度; キャリア濃度; キャリア減少率; 短絡電流

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

豊田工業大学

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