半導体ガンマ線検出器

Semiconductor gamma-ray detector

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筆者の総合報告(応用物理、38巻(1969)2~18)の後、現在に至る期間の半導体線検出器をめぐる開発研究の成果を解説したもの。Ge(Li)検出器用単結晶、エネルギー分解能、立ち上がり時間、ガンマ線検出効率、温度特性、放射線損傷、ガンマ線位置検出器、高純度Ge単結晶、CaAsや、CdTeなどの合金型半導体検出器、高分解能半導体X線検出器の話題をとり上げた。文献185、図面13、表1が附されている。

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使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:	応用物理
巻	:	42
号	:	2
ページ数	:	p.97 - 114
発行年月	:	1973/02
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	半導体ガンマ線検出器; Ge(Li)検出器; GaAs検出器; CdTe検出器; 高純度Ge検出器

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:	http://joi.jlc.jst.go.jp/JST.Journalarchive/oubutsu1932/11.97
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:
広報プレスリリース	:
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Access	:	- Accesses
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登録番号 : A19722366
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 3525

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