Temperature dependence of total free energy of activation for dislocation motion, 1; Copper crystals after electron irradiation

転位の運動に対する全自由エネルギーの温度依存; I.電子線照射された銅単結晶について

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転位が照射欠陥等と相互作用を持ちながら運動する際の全自由エネルギーを実験的に求めるformulationを導出し、それを電子線照射された銅単結晶に適用した。その結果、転位の運動を妨害する照射欠陥には二つの種類があり、夫々高温領域および低温領域で有効な妨害物として作用することが判明した。さらに、活性化エントロピーを求めることにより、この解析がself-consistentであることを確かめた。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Phys.Status Solidi A
巻	:	29
号	:	1
ページ数	:	p.231 - 239
発行年月	:	1975/01
発表会議名	:
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キーワード	:	結晶塑性; 転位; 照射損傷; 熱的活性化過程

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1002/pssa.2210290125
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Access	:	- Accesses
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登録番号 : A19744164
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 4308

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