Energy loss of 1000keV electrons in thin silicon crystals as measured by high voltage electron microscopy

シリコン単結晶薄膜中における1000KEV電子線のエネルギー損失;超高圧電子顕微鏡による測定

not registered; Izui, Kazuhiko; not registered; not registered

シリコン単結晶薄膜を透過した1000KeV電子線のエネルギー分析を、超高圧電子顕微鏡に設置したエネルギー分析器を用いて行なった。結晶は220ブラック反射の方位におかれ、結晶厚さをブラック反射の干渉高により求めた。1000の厚さにおける透過電子線のエネルギースペクトルを測定した。測定結果の解析より損失確率の値(平均自由行路の逆数)がプラズモン励起、L殻X線励起についてそれぞれ0.520.0210 $^{-}$ $^{3}$ $AA$^{-}$$ $^{1}$ 、1.50+0.0210 $^{-}$ $^{3}$ $AA$^{-}$$ $^{1}$ と求められた。

no abstracts in English

使用言語	:	English
掲載資料名	:	Radiat.Eff.
巻	:	26
号	:	1-2
ページ数	:	p.129 - 133
発行年月	:	1975/02
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	High energy electrons; HVEM; Energy loss; Plasmon; L-shell electron; Mean free path; Silicon

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:
Altmetrics	:

登録番号 : A19744493
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 4387

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.