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Ionization,excitation,and charge-transfer for impacts of H$$^{+}$$,Li$$^{3}$$$$^{+}$$,B$$^{5}$$$$^{+}$$,C$$^{6}$$$$^{+}$$ and Si$$^{1}$$$$^{4}$$$$^{+}$$ ions on atomic hydrogen

H$$^{+}$$,Li$$^{3}$$$$^{+}$$,B$$^{5}$$$$^{+}$$,C$$^{6}$$$$^{+}$$およびSi$$^{1}$$$$^{4}$$$$^{+}$$イオンが水素原子に衝突した場合の電離、励起、電荷移動

龍福 廣

Ryufuku, Hiroshi

完全チャネル系に基づくユニタリー化歪曲波近似法によりH$$^{+}$$,Li$$^{3}$$$$^{+}$$,B$$^{5}$$$$^{+}$$,C$$^{6}$$$$^{+}$$およびSi$$^{1}$$$$^{4}$$$$^{+}$$イオンが水素原子に衝突した場合の電離、励起、電荷移動断面積を求めた。 電離チャネルを入射粒子に中心を置くクーロン波動関数で表すことにより、「連続状態への電荷移動」を考慮した。 得られた電荷断面積は入射粒子の電荷に対し二次関係よりゆるやかな依存性を示した。 電離・励起チャネルの導入は電荷移動断面積を、衝突エネルギー10keV/amu以上で入射粒子電荷の高い場合に、極めて減少させた。 電荷移動断面積に対するスケーリング則を新たに求め、0.01~500keV/amuのエネルギー範囲で、実験および他の理論と比較した。

no abstracts in English

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