Cell formation and interfacial instability in laser-annealed Si-In and Si-Sb alloys

レーザー照射したSi-In及びSi-Sb合金におけるセル形成と界面不安定性

In及びSbをエネルギー125KeVでSi結晶に種々の線量(10 $^{1}$ $^{5}$ ~10 $^{1}$ $^{6}$ /cm $^{2}$ )まで打込んだ後、パルス幅15n.sec、エネルギー密度1.5J/cm $^{2}$ のルビー・レーザーを照射し、急速な結晶成長過程に及ぼす因子を実験的に調べた。試料結晶の構造解析のために、イオン・ビーム解析(ラザフォード散乱、イオン・チャネリング)及び電子顕微鏡観察を行なった。その結果、結晶成長界面が不安定になる時のセル・サイズ及び合金濃度を決定することができた。更に、これらの実験結果を、結晶固化速度に依存する合金元素の分配係数を考慮した結晶成長・摂動論を用いて解析した。

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使用言語	:	English
掲載資料名	:	Journal of Applied Physics
巻	:	53
号	:	2
ページ数	:	p.912 - 915
発行年月	:	1982/00
発表会議名	:
開催年月	:
開催都市	:
開催国	:
キーワード	:	Crystal Growth; Alloy; Laser; Silicon; Ion Scattering

特許データ	:
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論文URL	:	https://doi.org/10.1063/1.330559
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登録番号 : A19822105
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 : 6555

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