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Cell formation and interfacial instability in laser-annealed Si-In and Si-Sb alloys

レーザー照射したSi-In及びSi-Sb合金におけるセル形成と界面不安定性

J.Narayan*; 楢本 洋; C.W.White*

J.Narayan*; not registered; C.W.White*

In及びSbをエネルギー125KeVでSi結晶に種々の線量(10$$^{1}$$$$^{5}$$~10$$^{1}$$$$^{6}$$/cm$$^{2}$$)まで打込んだ後、パルス幅15n.sec、エネルギー密度1.5J/cm$$^{2}$$のルビー・レーザーを照射し、急速な結晶成長過程に及ぼす因子を実験的に調べた。試料結晶の構造解析のために、イオン・ビーム解析(ラザフォード散乱、イオン・チャネリング)及び電子顕微鏡観察を行なった。その結果、結晶成長界面が不安定になる時のセル・サイズ及び合金濃度を決定することができた。更に、これらの実験結果を、結晶固化速度に依存する合金元素の分配係数を考慮した結晶成長・摂動論を用いて解析した。

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分野:Physics, Applied

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