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O
, SiC and SiN
B.R.Appleton*; 楢本 洋; C.W.White*; O.W.Holland*; C.J.McHargue*; G.Farlow*; J.Narayan*; J.M.Williams*
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, B1, p.167 - 175, 1984/00
イオンビーム解析法、透過電子顕微鏡観察等を用いて、金属元素イオンビームを注入したAlO,SiC,SiN等のセラミックスの構造解析を行った。熱焼鈍による照射欠陥の回復と注入イオンの母結晶格子中での存在状態の変化を系統的に調べ、機械的性質との対応づけを行った。
J.Narayan*; 楢本 洋; C.W.White*
Journal of Applied Physics, 53(2), p.912 - 915, 1982/00
被引用回数：17 パーセンタイル：65.9(Physics, Applied)In及びSbをエネルギー125KeVでSi結晶に種々の線量(10
~10
/cm
)まで打込んだ後、パルス幅15n.sec、エネルギー密度1.5J/cmのルビー・レーザーを照射し、急速な結晶成長過程に及ぼす因子を実験的に調べた。試料結晶の構造解析のために、イオン・ビーム解析(ラザフォード散乱、イオン・チャネリング)及び電子顕微鏡観察を行なった。その結果、結晶成長界面が不安定になる時のセル・サイズ及び合金濃度を決定することができた。更に、これらの実験結果を、結晶固化速度に依存する合金元素の分配係数を考慮した結晶成長・摂動論を用いて解析した。
C.W.White*; 楢本 洋; J.M.Williams*; J.Narayan*; B.R.Appleton*; S.R.Wilson*
Laser and Electron-Beam Interactions with Solids,Vol.1, p.241 - 248, 1982/00
Si結晶格子と共有結合しない種々の不純物(Cr、Yb、Cu、Fe、Zn、W、Mn、Mg)をSi結晶に打込み、その後のパルス・レーザー焼鈍過程による不純物元素濃度の深さ分布変化、結晶格子への取込の有無をイオン・ビーム解析法により、又表面層の結晶格子不整を電子顕微鏡観察法により求めた。これら2種のデータを比較・検討し、以下の結論を得た。レーザー照射により誘起される焼鈍過程は打込不純物原子分布に大きな影響を及ぼすが、その過程は以下に示す2つの典型例に大別される。(1)低濃度打込の場合:レーザー照射によって生じた溶解層が表面へと移動する時に生ずる理想的帯精製現象が見られ、打込層のepitaxial growthと不純物の表面への推積が起こる。(2)高濃度打込の場合:固液界面は組成的過冷却状態になって結晶成長過程が不安定となる。その結果、セル構造に代表される析出物の形成が生ずる。
