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Ion implantation and thermal annealing of $$alpha$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$ single crystals

$$alpha$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$単結晶に対するイオン打込とその焼鈍効果

楢本 洋; C.W.White*; J.M.Williams*; C.J.McHargue*; O.W.Holland*; M.M.Abraham*; B.R.Appleton*

not registered; C.W.White*; J.M.Williams*; C.J.McHargue*; O.W.Holland*; M.M.Abraham*; B.R.Appleton*

金属イオン打込みによる非平衡新材料物質作成の基礎的研究の一環として、熱処理による打込イオンの深さ分布変化、電荷、結晶学的位置、照射誘起欠陥の回復現象等を調べた。更にこれらの熱回復過程に対応した物理量として、Hardnessの変化を測定した。得られた結果は以下の通りである。(1)母体結晶の構成元素のAlとOxy、原子では格子欠陥の回復温度が異なる。(2)打込イオンのうちCrは熱処理により母体結晶格子に完全に取込まれ、Tiは表面近傍に再配列して$$<$$0001$$>$$方向に整合する酸化析出物を形成する。Zrイオンはいずれの方向に関しても母体結晶と整合性のない析出物を形成する。又、母体構成元素のOxy原子と強く結合して、酸素副格子の欠陥の回復を遅らせる。(3)Hardnessに対する寄与は、析出物を形成するTi,Zr打込の場合には大きく、一方Cr打込の場合には融液成長させたCr$$_{2}$$O$$_{3}$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$合金と同一の値を示す。

no abstracts in English

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

Journal of Applied Physics

巻

 :

54

号

 :

2

ページ数

 :

p.683 - 698

発行年月

 :

1983/00

発表会議名

 :

開催年月

 :

開催都市

 :

開催国

 :

キーワード

 :

Implantation; Chromium; Titanium; Zirconium; Aluminium Oxide; Ion Scattering; Thermal Annealing

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

https://doi.org/10.1063/1.332076

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

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Access

 :

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パーセンタイル：92.91

分野：Physics, Applied

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