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論文

Ion implantation, ion beam mixing, and annealing studies of metals in Al$$_{2}$$O$$_{3}$$, SiC and Si$$_{3}$$N$$_{4}$$

B.R.Appleton*; 楢本 洋; C.W.White*; O.W.Holland*; C.J.McHargue*; G.Farlow*; J.Narayan*; J.M.Williams*

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B, B1, p.167 - 175, 1984/00

イオンビーム解析法、透過電子顕微鏡観察等を用いて、金属元素イオンビームを注入したAl$$_{2}$$O$$_{3}$$,SiC,Si$$_{3}$$N$$_{4}$$等のセラミックスの構造解析を行った。熱焼鈍による照射欠陥の回復と注入イオンの母結晶格子中での存在状態の変化を系統的に調べ、機械的性質との対応づけを行った。

論文

Ion implantation and thermal annealing of $$alpha$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$ single crystals

楢本 洋; C.W.White*; J.M.Williams*; C.J.McHargue*; O.W.Holland*; M.M.Abraham*; B.R.Appleton*

Journal of Applied Physics, 54(2), p.683 - 698, 1983/00

https://doi.org/10.1063/1.332076
 被引用回数：75 パーセンタイル：92.9(Physics, Applied)

金属イオン打込みによる非平衡新材料物質作成の基礎的研究の一環として、熱処理による打込イオンの深さ分布変化、電荷、結晶学的位置、照射誘起欠陥の回復現象等を調べた。更にこれらの熱回復過程に対応した物理量として、Hardnessの変化を測定した。得られた結果は以下の通りである。(1)母体結晶の構成元素のAlとOxy、原子では格子欠陥の回復温度が異なる。(2)打込イオンのうちCrは熱処理により母体結晶格子に完全に取込まれ、Tiは表面近傍に再配列して$$<$$0001$$>$$方向に整合する酸化析出物を形成する。Zrイオンはいずれの方向に関しても母体結晶と整合性のない析出物を形成する。又、母体構成元素のOxy原子と強く結合して、酸素副格子の欠陥の回復を遅らせる。(3)Hardnessに対する寄与は、析出物を形成するTi,Zr打込の場合には大きく、一方Cr打込の場合には融液成長させたCr$$_{2}$$O$$_{3}$$-Al$$_{2}$$O$$_{3}$$合金と同一の値を示す。

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